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日本TEAC TT-XNⅡ/TT-XNⅡ(G)-(100N,500N)晶体生长负荷计
  • 日本TEAC TT-XNⅡ/TT-XNⅡ(G)-(100N,500N)晶体生长负荷计
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  • 日本TEAC系列称重传感器,TEAC TT-XNⅡ/TT-XNⅡ(G)-(100N,500N)晶体生长负荷计。


    描述

    晶体生长载荷计是一种载荷传感器,它将生长的单晶的重量转换为电信号,用于控制直径。

    晶体生长称重传感器由负载敏感单元(称重传感器)、放大单元(放大器)、将旋转信号传输到外部的滑环以及容纳它们的容器组成。


    • 特征

      • 比以往更多的过载保护

      • 可测量拉起大直径锭时接触种子的微小负载的二段(二输出)型
        * 也可提供一段(一输出)型。

      • 由于差分输出而抗噪声

      • 负载灵敏度部分使用具有非线性、滞后和 0.02% RO 重复性的高性能、高分辨率称重传感器。

      • 温度特性在0.03% RO/10°C(零点变化+灵敏度变化)下非常稳定。

    • 获得专利

      • 日本专利第 5679120、5776899 号

      • 中国专利号ZL201110291046.X、ZL201110291066.7

      • 韩国专利第 1307997 号、第 1309318 号

    模型集装箱结构额定容量 (N)
    TT-XNⅡ常压型100N-500N *
    TT-XNⅡ(G)常压气体吹扫型100N-500N *
    模型TT-XNⅡ, TT-XNⅡ (G)
    允许过载600N
    直线度0.02% 反渗透 (100N) 0.05% 反渗透 (500N)
    滞后0.02% 反渗透 (100N) 0.05% 反渗透 (500N)
    重复性0.02% 反渗透 (100N) 0.05% 反渗透 (500N)
    温度特性0.03%反渗透/10℃
    调零范围大约 ± 25% RO(在内部放大器的板上调整)
    最低分辨率0.001% RO(可检测的变化,不包括稳定性)
    滑环转动噪音50 μVp-p 或更低(100 rpm 或更低)
    滑环寿命2 x 10 7
    反应能力约 1Hz / -3dB
    过载保护在重力方向以120%左右的负载保护称重传感器(带过载保护机构) 在与
    重力方向相反的方向(推动方向),
    负载传递元件称重传感器分离,保护负载细胞。
    电源15VDC ± 10% 消耗电流 300mA 以下
    输出100N 称重传感器:0 至约 10V DC
    500N 称重传感器:0 至约 10V DC
    工作温度限制0℃~50℃
    集装箱结构常压型、常压气体吹扫型(G)
    容器材料SUS304
    体重约8kg

    TT-XNⅡ TT-XNⅡ (G)

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